通過條件
成 績 :60 分
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Ch1_Resistivity
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Ch2_Carrier_and_Doping_Density
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Ch3-1_Contact_Resistance_and_Schottky_Barriers
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Ch3-2_Contact_Resistance_and_Schottky_Barriers
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第一次期中考_(考古題)
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Ch4_Series_Resistance,_Channel_Length_and_Width,_and_Threshold_Voltage
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Ch5_Defects
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Ch6_modified
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Ch7-1_Mobility
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Ch7-2_Mobility
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期末考(考古題)
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